单电子晶体管和电荷量子比特中的电荷噪声是由金属颗粒引起的吗？
介观与纳米尺度物理
2011-03-11 v1 超导电性
摘要
我们报告了在单电子晶体管中从几赫兹到10兆赫兹的低频噪声测量结果。测量是在不同的偏压和栅压下进行的，这使我们能够分离来自不同噪声源的噪声贡献。我们发现一个1/f噪声谱，其上叠加了两个洛伦兹峰。其中一个洛伦兹峰的截止频率随SET岛的电位系统性地变化。我们的数据与位于隧道势垒附近的两个单电荷涨落器一致。我们认为这些涨落器是由于铝颗粒的随机充电引起的，每个铝颗粒作为一个单电子盒，与其中一个引线存在隧道耦合，并通过电容耦合到SET岛。我们能够将数据拟合到我们的模型，并提取出涨落器的参数。
引用
@article{arxiv.0807.2751,
title = {Is charge noise in single electron transistors and charge qubits caused by metallic grains?},
author = {S. Kafanov and H. Brenning and T. Duty and P. Delsing},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.2751},
year = {2011}
}
备注
19 pages, 7 figures