单电子晶体管中的噪声及其测量过程中的反作用
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
单电子晶体管（SET）是非常灵敏的静电计，可应用于多种场景。本文介绍了SET，并给出了SET在全频率范围内噪声产生的完整量子力学计算，包括一个新的量子电流噪声公式。该计算在低频极限下与散粒噪声结果吻合良好，在高频极限下与Nyquist噪声吻合。我们讨论了如何利用SET，特别是射频SET，来读出基于电荷的量子比特，如单Cooper对盒。我们还讨论了SET对量子比特的反作用。该反作用由SET岛上电压涨落的谱功率决定。我们主要处理正常态SET，但许多结果同样适用于超导SET。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210163,
title = {Noise in the Single Electron Transistor and its back action during measurement},
author = {G. Johansson and P. Delsing and K. Bladh and D. Gunnarsson and T. Duty and A. Käck and G. Wendin and A. Aassime},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210163},
year = {2007}
}
备注
19 pages, 7 figures, submitted to Proceedings of NATO ARW "Quantum Noise in Mesoscopic Physics" Delft, 2 to 4 june 2002