单电子晶体管的完整频率电压噪声谱密度
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1
摘要
我们计算了单电子晶体管 (SET) 作为电tmeter 偏置在库仑阈值以上时电压波动的完整频率谱密度。在考虑正常态 SET 和超导 SET 的情况下，我们描述了从低频 telegraph 噪声到与 SET 充电能 相当的量子噪声，再到高频尼采噪声的整个谱。我们采用实时图示 Keldysh 技术考虑了 SET 与被测系统之间的能量交换。电压波动决定了 SET 对被测系统的背靠背作用，我们特别讨论了超导电荷量子比特读取器和测量单对超导电子对盒子的所谓库仑台阶的情况。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211055,
title = {Full frequency voltage noise spectral density of a single electron transistor},
author = {Andreas Kack and Goran Johansson and Goran Wendin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211055},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 18 figures, submitted to PRB