单电子晶体管中有限频率电流统计的测量
介观与纳米尺度物理
2012-01-11 v1
摘要
纳米结构中的电子输运深受库仑相互作用的影响，该作用导致电荷流中的相关性，并在电流涨落中留下清晰的指纹。要完全理解潜在的物理过程，需要在所有时间和频率尺度上测量电涨落，但迄今为止实验仅限于固定的频率范围，因为电流涨落的宽带检测本质上是一项困难的实验程序。在此，我们证明利用附近的量子点接触对单电子晶体管 (SET) 中的电流脉冲进行片上实时检测，可以准确测量 SET 中所有相关频率的电涨落。我们直接测量了频率依赖的电流统计，从而完全表征了 SET 中的基本隧穿过程。我们的实验为未来研究量子输运中由相互作用和相干性诱导的相关效应铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1201.2163,
title = {Measurement of finite-frequency current statistics in a single-electron transistor},
author = {Niels Ubbelohde and Christian Fricke and Christian Flindt and Frank Hohls and Rolf J. Haug},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2163},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 3 figures, published in Nature Communications (open access)