利用传输型射频单电子晶体管技术对AlGaAs/GaAs量子点中的电荷噪声分析
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
射频（rf）工作的单电子晶体管（SET）是高灵敏度、快速响应的电流计，对于深入理解单电荷动力学具有重要价值。我们利用传输型rf-SET技术研究了AlGaAs/GaAs量子点中的高频（高达1 MHz）电荷噪声。量子点附近陷阱上的电子俘获和发射动力学由泊松过程主导。测量单次俘获事件的最大带宽约为1 MHz，这与观测可测量电流（~0.1pA）中单电子隧穿振荡所需的带宽相同。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0006008,
title = {Charge noise analysis of an AlGaAs/GaAs quantum dot using transmission-type radio-frequency single-electron transistor technique},
author = {Toshimasa Fujisawa and Yoshiro Hirayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0006008},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in Appl. Phys. Lett