大品质因子射频单电子晶体管的分析
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们分析了射频单电子晶体管（RF-SET）的响应和噪声极限灵敏度，将此前开发的理论扩展到RF-SET电路具有任意大的品质因子Q的情况。我们指出，尽管RF-SET响应在Q大约对应于阻抗匹配条件时达到最大值，但RF-SET灵敏度随着Q的增加而单调恶化。我们还提出了一种新的操作模式，即射频波的谐波与电路共振。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305012,
title = {Analysis of the radio-frequency single-electron transistor with large quality factor},
author = {Valentin O. Turin and Alexander N. Korotkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305012},
year = {2009}
}
备注
4 pages, submitted to Appl.Phys.Lett