射频单电子晶体管 (RF-SET) 的电荷灵敏度
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v1
摘要
本文对射频单电子晶体管 (RF-SET) 的电荷灵敏度进行理论分析。我们采用“正统”方法，考虑载波频率远小于 的情况，其中 为 RF-SET 典型电流。确定优化的噪声极限灵敏度由温度 决定，低温时仅比传统单电子晶体管灵敏度差 1.4 倍。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9902206,
title = {Charge sensitivity of radio frequency single-electron transistor (RF-SET)},
author = {Alexander N. Korotkov and Mikko A. Paalanen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9902206},
year = {2016}
}
备注
3 pages, 4 figures