电阻耦合单电子晶体管的理论分析

A. N. Korotkov

doi:10.1063/1.121557

电阻耦合单电子晶体管的理论分析

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v1

作者: A. N. Korotkov

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摘要

对电阻耦合单电子晶体管（R-SET）的工作进行了定量研究。由于耦合电阻的Nyquist噪声，在温度 $T$ 低至 $10^{-3} e^2/C$ （其中 $C$ 是结电容）时，R-SET的性能退化显著，而在 $T\agt 10^{-2}e^2/C$ 时电压增益变得不可能。

关键词

单电子晶体管电阻耦合 Nyquist噪声电压增益定量分析

引用

@article{arxiv.cond-mat/9803038,
  title  = {Theoretical analysis of the resistively-coupled single-electron transistor},
  author = {A. N. Korotkov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9803038},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages (RevTeX), 4 figures (eps)

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