工作温度高达4.2 K的超灵敏射频单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2011-03-11 v1 超导电性
摘要
我们展示了一种射频单电子晶体管（rf-SET）的制备和测量，该器件在4.2 K下显示出1.9微电子/√Hz的极高电荷灵敏度。在40 mK时，超导态和正常态下的电荷灵敏度分别为0.9和1.0微电子/√Hz。我们测量了在40 mK、1.8 K和4.2 K三个不同温度下灵敏度随射频幅度的变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602518,
title = {An ultra sensitive radio frequency single electron transistor working up to 4.2 K},
author = {Henrik Brenning and Sergey Kafanov and Tim Duty and Sergey Kubatkin and Per Delsing},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602518},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 4 figures