单电子晶体管中噪声的增益依赖性
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v1
摘要
我们提出了对单电子晶体管中低频噪声作为增益函数的广泛研究。通过比较大量偏置点下的输出噪声与增益，发现噪声主要由外部电荷噪声主导。对于低增益，我们发现了一个额外的噪声贡献，并将其与包含电阻涨落的模型进行了比较。我们得出结论，这种过量噪声不仅仅是由电阻涨落引起的。对于一个样品，我们发现在超导态和正常态中，在4.4 kHz频率下，创纪录的低最小电荷噪声分别为 qn = 9*10^-6 e/sqrt(Hz) 和 qn = 9*10^-6 e/sqrt(Hz)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806354,
title = {Gain Dependence of the Noise in the Single Electron Transistor},
author = {B. Starmark and Torsten Henning and A. N. Korotkov and T. Claeson and P. Delsing},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806354},
year = {2016}
}
备注
10 pages, LaTex 2.09, 4 figures (epsfig)