利用单向自旋霍尔磁电阻探测 Heusler 化合物 Co2MnSi 的界面自旋极化
介观与纳米尺度物理
2019-04-18 v2 材料科学
摘要
许多 Heusler 化合物在体相中被预测为铁磁性半金属，这使其成为自旋电子学中有前景的化合物。然而，对于器件而言，特定界面的输运自旋极化需要优化。我们表明，对单向磁电阻的研究为获取该物理量提供了一种替代方法。基于惠斯通电桥设计，我们探测了 Co2MnSi/(Ag、Cu 或 Cr)(0.5 nm)/Pt（或 Ta）多层膜的单向磁电阻，并将自旋依赖的单向自旋霍尔磁电阻与其他贡献分离开来。我们证明，通过插入一层薄的外延 Ag 层，自旋依赖贡献加倍，对应于输运自旋极化的显著增加，这一点在高度自旋极化界面态的框架下进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1811.04592,
title = {Interface spin polarization of the Heusler compound Co2MnSi probed by unidirectional spin Hall magnetoresistance},
author = {C. Lidig and J. Cramer and L. Weißhoff and T. R. Thomas and T. Kessler and M. Kläui and M. Jourdan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04592},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures