通过选择性化学刻蚀控制 NdGaO3 晶体表面终止层
材料科学
2012-02-29 v2
摘要
开发了一种针对 (110) 和 (001) NdGaO3 单晶衬底的化学刻蚀方法，以获得原子级平整的 GaO2-x 终止表面。根据表面台阶密度，将衬底在 pH 值受控的 NH4F 或 NH4Cl 基溶液中进行刻蚀，随后在空气或氧气流中于 800-1000°C 下进行退火，以使表面重结晶。利用原子力显微镜 (AFM) 和高压反射高能电子衍射 (RHEED) 分析了每次处理后样品的表面形貌。对终止层的化学性质和特征的研究表明，经化学刻蚀的 NdGaO3 衬底表面具有 GaO2-x 终止，且 (110) 和 (001) NdGaO3 表面具有不同的自由表面能，后者的自由表面能较低。
引用
@article{arxiv.1202.2256,
title = {Termination control of NdGaO3 crystal surfaces by selective chemical etching},
author = {V. Leca and D. H. A. Blank and G. Rijnders},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.2256},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 7 figures, 2 tables