基于关联STEM与全息层析成像的III-V核-多壳纳米线三维组分与电势映射
介观与纳米尺度物理
2018-10-10 v1
摘要
对基于半导体纳米线等纳米器件进行功能电势的非破坏性表征，对于将器件特性与其形貌/材料特征相关联，以及精确调控和优化其生长过程至关重要。电子全息层析成像(EHT)过去已被用于重建三维总电势分布，但迄今缺乏一种定量方法将由于化学成分变化(平均内势-MIP)和空间电荷引起的电势变化分离开来。在本快报中，我们在一根<111>取向的GaAs-AlGaAs核-多壳纳米线(NW)上结合并关联了EHT与高角环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)层析成像。我们在确定的AlGaAs壳层内Al浓度以及作为量子阱管的几纳米薄GaAs壳层厚度变化方面，获得了两种方法之间极好的一致性。减去由STEM层析图确定的MIP，使我们能够观察到NW表面和Au-NW界面处的功能电势，这两者均归因于半导体费米能级的表面/界面钉扎。
引用
@article{arxiv.1810.04068,
title = {Three-dimensional composition and electric potential mapping of III-V core-multishell nanowires by correlative STEM and holographic tomography},
author = {Daniel Wolf and René Hübner and Tore Niermann and Sebastian Sturm and Paola Prete and Nico Lovergine and Bernd Büchner and Axel Lubk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.04068},
year = {2018}
}