Cu掺杂\b{eta}-Ga2O3中的持久室温光致变暗
材料科学
2022-03-02 v1
摘要
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体，在功率电子学中具有新兴应用。引入受主掺杂可得到薄膜器件所需的半绝缘衬底。本工作中，将 Cu 掺杂的 Ga2O3 暴露于能量大于 4 eV 的紫外光下，会在室温引起大而持久的光致变暗。电子顺磁共振谱表明，光照将 Cu2+ 转化为 Cu3+，这是一种罕见的氧化态，是光学吸收的原因。光致变暗伴随红外光谱中 O-H 振动模的出现。杂化泛函计算表明，Cu 受主可有利地与作为间隙（Hi）或替代（H_O）缺陷掺入的氢施主形成络合物。当 Cu_Ga-H_O 络合物吸收光时，氢被释放，导致观察到的 Cu3+ 物种和 O-H 模。
引用
@article{arxiv.2201.01861,
title = {Persistent room temperature photodarkening in Cu-doped \b{eta}-Ga2O3},
author = {J. Jesenovec and C. Pansegrau and M. D. McCluskey and J. S. McCloy and T. D. Gustafson and L. E. Halliburton and J. B. Varley},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.01861},
year = {2022}
}