通过掺入 Bi 实现 In2O3 的可见光吸收与 p 型掺杂
材料科学
2019-03-27 v1
摘要
In2O3 是一种原型宽禁带半导体，在经 Sn 高度掺杂时表现出金属导电性，同时对可见光保持高度透明。它被广泛用作太阳能电池与 LED 中的透明窗口/电极。若能同时实现 p 型导电性，In2O3 的功能将大为拓展。利用电子结构计算，我们表明以稀合金 (In_{1-x}Bi_{x})_2O3 形式向 In2O3 中添加 Bi，会引入一个新的价带，其能量较原有的 O-2p 价带足够高，从而允许 p 型掺杂。此外，该稀合金中抬升的价带导致在可见光谱内的强光学吸收，为叠层太阳能电池中宽禁带吸收层等新应用开辟了可能。
引用
@article{arxiv.1812.06353,
title = {Enabling visible-light absorption and p-type doping in In2O3 by adding Bi},
author = {Fernando P. Sabino and Su-Huai Wei and Anderson Janotti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06353},
year = {2019}
}