$\beta$-$Ga_2O_3$ 中的 Cd 受主：原子尺度视角
材料科学
2019-08-29 v2
摘要
寻找合适的 p 型掺杂剂，以及用于新兴宽禁带半导体 - 的可靠掺杂与表征方法，可强力推动并贡献于下一代功率电子器件的发展。本工作中，我们结合易于实现的离子注入、扩散与核嬗变方法，将 Cd 掺杂剂恰当嵌入 - 晶格，随后利用扰动角关联（PAC）技术与原子尺度密度泛函理论（DFT）模拟进行表征。证明了 Cd 在 - 中的受主特性：Cd 位于八面体 Ga 位且呈负电荷态，未见极化子畸变或邻近额外点缺陷。此外，在约 648 K 以上温度观测到热激活自由电子，激活能为 0.54(1) eV。较低温度下局域电子输运由缺陷能级间的隧穿过程主导。
引用
@article{arxiv.1908.09569,
title = {Cd acceptors in $Ga_2O_3$, an atomistic view},
author = {M. B. Barbosa and J. G. Correia and K. Lorenz and A. S. Fenta and J. Schell and R. Teixeira and E. Nogales and B. Méndez and A. Stroppa and J. P. Araújo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09569},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 7 figures, including Supplementary Material; Corrected affiliations