β-Ga2O3 中的施主与深受主
介观与纳米尺度物理
2018-09-06 v1 材料科学
应用物理
摘要
我们通过变温范德堡和霍尔效应测量，研究了由多种方法生长的样品中 β-Ga2O3 的 Si、Ge 浅施主以及 Fe、Mg 深受主的性质，这些方法包括边缘定义薄膜馈送法（EFG）、直拉法（CZ）、分子束外延（MBE）和低压化学气相沉积（LPCVD）。通过对变温载流子浓度和迁移率进行同步自洽拟合，我们能够准确估算出 β-Ga2O3 中 Si 和 Ge 的施主能量为 30 meV。此外，我们表明测得的霍尔效应数据与 Si 和 Ge 作为典型浅施主而非浅 DX 中心的行为一致。Fe 掺杂 β-Ga2O3 的高温霍尔效应测量表明，即使经过 Fe 掺杂，该材料仍保持弱 n 型，Fe 深受主相对于导带的受主能量为 860 meV。Mg 掺杂 Ga2O3 的范德堡测量表明，由变温电导确定的激活能为 1.1 eV。
引用
@article{arxiv.1809.01230,
title = {Donors and Deep Acceptors in $\beta$-Ga2O3},
author = {Adam T. Neal and Shin Mou and Subrina Rafique and Hongping Zhao and Elaheh Ahmadi and James S. Speck and Kevin T. Stevens and John D. Blevins and Darren B. Thomson and Neil Moser and Kelson D. Chabak and Gregg H. Jessen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.01230},
year = {2018}
}
备注
19 pages, 6 figures