Si 掺杂 \b{eta}-Ga2O3 薄膜中的杂质带导电
材料科学
2021-03-17 v1
摘要
结合温度依赖电阻率和霍尔效应测量，我们研究了采用金属有机气相外延（MOVPE）生长的 Si 掺杂 \b{eta}-Ga2O3 薄膜中的施主态能量。高磁场霍尔效应测量（H = +/-90 kOe）显示 T < 150 K 时非线性霍尔电阻，揭示两带导电。进一步分析揭示两带中均存在载流子冻结特征，得到施主态能量约 33.7 和约 45.6 meV。前者与 \b{eta}-Ga2O3 中 Si 的施主能量一致，而后者提示一个残余施主态，可能与 DX 中心相关。本研究利用高场磁输运测量对 \b{eta}-Ga2O3 中的杂质带导电与缺陷能态提供了关键见解。
引用
@article{arxiv.2010.00193,
title = {Impurity Band Conduction in Si-doped \b{eta}-Ga2O3 Films},
author = {Anil Kumar Rajapitamahuni and Laxman Raju Thoutam and Praneeth Ranga and Sriram Krishnamoorthy and Bharat Jalan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.00193},
year = {2021}
}
备注
14 pages