利用固态锗源对LPCVD生长的β-Ga2O3薄膜进行n型掺杂
材料科学
2021-06-16 v1 应用物理
摘要
我们报道了使用固态锗源生长和表征Ge掺杂的β-Ga2O3薄膜。β-Ga2O3薄膜是使用低压化学气相沉积（LPCVD）反应器在氧或镓输送管下生长的。薄膜生长在6度偏切蓝宝石和(010) β-Ga2O3衬底上，生长速率介于0.5–22 μm/hr之间。通过控制锗蒸气压，实现了10^17–10^19 cm-3范围内宽泛的霍尔载流子浓度。低温霍尔数据揭示了取决于反应器构型的施主并入差异。在低生长速率下，锗占据8–10 meV之间的单一施主能级。在较高生长速率下，锗掺杂主要导致85 meV处的较深施主能级。本工作展示了反应器设计和生长区间对杂质并入动力学的影响。研究β-Ga2O3中的施主并入对于高功率电子器件的设计十分重要。
引用
@article{arxiv.2103.05166,
title = {N-type doping of LPCVD-grown \b{eta}-Ga2O3 thin films using solid-source germanium},
author = {Praneeth Ranga and Arkka Bhattacharyya and Luisa Whittaker-Brooks and Michael A. Scarpulla and Sriram Krishnamoorthy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.05166},
year = {2021}
}
备注
16 pages,4 figures