替代掺杂β-Ga₂O₃的压电性质

现代半导体材料日益用于展示机械应变与电势间交叉相互作用的多学科系统中，这在高灵敏度、自供能传感器件中产生了普遍应用。此类半导体材料展现压电性质的基本前提之一是其晶体结构的非中心对称性。β-Ga₂O₃因其超宽禁带已成为一种新兴化合物半导体材料。然而原始β-Ga₂O₃具有反演中心，不显示压电效应。本工作利用第一性原理方法发现替代掺杂的β-Ga₂O₃具有压电性质，而此前其替代掺杂研究多聚焦于提高电导率与形成半导体异质结的目的。更有趣的是，本工作揭示形成能与压电系数之间存在明确关系。