α-Fe1.4Ga0.6O3 的合成与研究：一种先进铁磁半导体
材料科学
2011-04-12 v1
摘要
我们报道了 α-Fe1.4Ga0.6O3 化合物的合成，并展示了其结构相稳定性以及有趣的磁学、介电和光吸收特性。在我们的工作中，Ga 掺杂的 α-Fe2O3 样品在 α 相（菱方晶体结构，空间群 R3C）中得到了很好的稳定。与最近研究最多的 FeGaO3 组分相比，本 Ga 掺杂 α-Fe2O3 体系的性能显著提升。在室温下，该样品是典型的软铁磁体，同时也是直接带隙半导体。介电研究表明，样品具有低介电损耗，且在高频下交流电导率大幅增强。可见光范围内的光吸收增强了 4% 至 5%。该组分展现出通过改变晶粒尺寸和对机械合金化制备的原始样品进行非环境（真空）热处理，来大范围调控室温铁磁矩和光学带隙的巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1104.1982,
title = {Synthesis and study of alpha-Fe1.4Ga0.6O3: An advanced Ferromagnetic Semiconductor},
author = {N. Naresh and R. N. Bhowmik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.1982},
year = {2011}
}
备注
6 Figures