Fe(AlxGa1-x)3 体系的结构与电子性质
材料科学
2016-11-23 v1
摘要
FeGa3 是一种众所周知的由 d-p 杂化引起的金属间化合物带隙半导体。在本工作中，我们通过 X 射线衍射 (XRD)、温度依赖的电阻测量、室温 Mössbauer 测量以及基于密度泛函理论的电子结构计算，给出了 Al 替代 FeGa3 效应的实验与理论结果。观察到，在本文研究的最大范围 x = 0.178 以内，Al 替代减小了晶格参数 'a' 和 'c'，同时保持了 FeGa3 母体四方 P42/mnm 晶体结构。与 FeGa3 相比，x = 0.178 时 Fe(AlxGa1-x)3 的带隙减小了约 24%。XRD 数据的 Rietveld 精修表明，Al 原子取代了位于 FeGa3 中 8j 位置的 Ga 原子。对计算和实验中观察到的晶格参数与能带隙趋势的比较也证实，Al 主要取代了 8j 位置的 Ga 原子。
引用
@article{arxiv.1606.04500,
title = {Structural and electronic properties of Fe(AlxGa1-x)3 system},
author = {Debashis Mondal and C. Kamal and Soma Banik and Ashok Bhakar and Ajay Kak and Gangadhar Das and V. R. Reddy and Aparna Chakrabarti and Tapas Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.04500},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures, 3 tables