β相与α相Ga$_2$O$_3$和Al$_2$O$_3$的紧束缚能带结构
介观与纳米尺度物理
2022-11-01 v1 材料科学
摘要
新兴超宽禁带半导体GaO和AlO的快速设计与开发需要其电子结构的紧凑模型，该模型需在未来的高场、高频、高温电子学以及可见光与紫外光电子学所涉及的宽能量范围内保持准确。本文发展了最小紧束缚模型，以在倒易空间全域复现β相和α相GaO与AlO的第一性原理电子结构。该紧凑模型精确复现了禁带宽度、轨道特征、有效质量以及导带的高能特征，将有助于体材料、器件及量子受限异质结构的电学与光学性质的研究与设计。
引用
@article{arxiv.2111.03959,
title = {Tight-Binding Bandstructure of $\beta-$ and $\alpha-$ phase Ga$_2$O$_3$ and Al$_2$O$_3$},
author = {Yifan and Zhang and Mengren and Liu and Guru Khalsa and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.03959},
year = {2022}
}