类型-II 界面纵向光学各向异性（紧密束缚模型）
介观与纳米尺度物理
2008-10-07 v1 材料科学
摘要
我们发展了紧密束缚理论，以研究沿 [001] 晶轴生长的类型-II异质结构 CA/C'A' 的电子和光学性质。使用考虑了自旋轨道相互作用的 sp^3s* 最近邻紧密束缚模型，计算了 InAs/AlSb 和 ZnSe/BeTe 多层结构中能态以及平面线性极化的空间间接带边光致发光。在非标准平面 C-A' 或 C'-A 上考虑界面参数作为拟合变量。一系列这些参数被证明允许在界面上局域化类似 Tamm 态的空穴。该理论在两种类型-II 异质结构中预测产生巨大的光极化值，与现有实验结果一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403297,
title = {Lateral optical anisotropy of type-II interfaces in the tight-binding approach},
author = {E. L. Ivchenko and M. O. Nestoklon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403297},
year = {2008}
}
备注
9 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B