导带电子波函数引起的面内光学各向异性
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
在1.6 K温度下，对Be δ掺杂GaAs/Al0.33Ga0.67As异质结构在磁场（B）高达5 T的条件下进行了光致发光测量。分析了二维电子气（2DEG）与局域在Be受主上的光激发空穴复合产生的发光。确定了完全占据朗道能级发光的圆偏振度（γC）随B和2DEG浓度ns的变化关系。在B恒定时，γC随ns的增加而减小。讨论了γC(ns)依赖关系的两种机制：a) 光激发空穴束缚于Be受主的斯塔克效应；b) 光学跃迁强度的面内各向异性。定量分析表明，在本实验中斯塔克效应对γC的影响可忽略不计。我们提出γC(ns)依赖关系源于导带电子波函数的C2v对称性，并给出了支持这一解释的定性论据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703088,
title = {In-plane optical anisotropy due to conduction band electron wavefunctions},
author = {J. Łusakowski and M. Sakowicz and K. J. Friedland and R. Hey and K. Ploog},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703088},
year = {2007}
}