InAs-AlSb 异质结构中的本征界面态
材料科学
2016-09-16 v2
摘要
我们研究了束缚于 InAs/AlSb 界面处 In-Sb 化学键平面的本征界面态存在的可能性。在扩展基 spds^* 紧束缚模型框架下对体材料进行仔细的参数化，结合能带偏移预测的最新进展，严格限制了描述该系统的紧束缚参数范围。我们发现，对于大范围的 InSb/InAs 能带偏移值，存在一种束缚于 In-Sb 键平面的类重空穴界面态。
引用
@article{arxiv.1411.6565,
title = {Intrinsic interface states in InAs-AlSb heterostructures},
author = {F. Raouafi and R. Benchamekh and M. O. Nestoklon and J-M. Jancu and P. Voisin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6565},
year = {2016}
}