拓扑绝缘体中的边界条件与表面态谱
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v3
摘要
我们通过为有效 哈密顿量和拓扑绝缘体的紧束缚模型构建一类可行的时间反演不变边界条件（BCs），研究了基于 HgTe/(Hg,Cd)Te 量子阱的二维拓扑绝缘体（TIs）和三维 BiSe型化合物的表面态谱。BCs 包含一些唯象参数，这些参数隐含地依赖于体哈密顿量参数和晶体表面附近的晶体势行为。空间对称性将边界参数的数量减少到二维情况下的四个实参数和三维情况下的三个。我们发现边界参数不仅可能强烈影响能谱，甚至可能影响这些态在布里渊区中心附近的体隙中是否存在。尽管如此，我们在紧束缚模型框架内揭示，当表面态在布里渊区中心的体隙中不存在时，它们会在布里渊区的其他点穿过能隙，这与体 - 边对应关系一致。
引用
@article{arxiv.1407.0945,
title = {Boundary Conditions and Surface States Spectra in Topological Insulators},
author = {V. V. Enaldiev and I. V. Zagorodnev and V. A. Volkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0945},
year = {2015}
}
备注
Title, abstract, and introduction are updated; published version