EuS/InAs 界面电子结构对成键构型的依赖性
材料科学
2021-07-07 v1 计算物理
摘要
近年来，EuS/InAs 界面因可能在强自旋轨道半导体中诱导磁交换关联而受到关注，这可用于拓扑量子器件。我们使用带机器学习 Hubbard 修正的密度泛函理论（DFT）[npj Comput. Mater. 6, 180 (2020)] 来阐明界面处成键构型对电子结构的影响。对于此处考虑的所有界面构型，我们发现 EuS 价带顶（VBM）位于 InAs 价带顶之下。此外，在界面处 InAs 价带顶顶部出现了弥散态，这些态在两种单独的材料中均不存在。这些态主要由邻近界面的 InAs 层贡献。它们局域在界面处，可能归因于从 EuS 到 InAs 的电荷转移。界面构型影响 EuS 价带顶相对于 InAs 价带顶的位置，以及界面态的色散。对于此处研究的所有界面构型，InAs 中诱导的磁矩都很小。这表明此处研究的相干形式下的该界面，在 InAs 中诱导平衡磁性质方面前景不佳。
引用
@article{arxiv.2104.01623,
title = {Dependence of the electronic structure of the EuS/InAs interface on the bonding configuration},
author = {Maituo Yu and Saeed Moayedpour and Shuyang Yang and Derek Dardzinski and Chunzhi Wu and Vlad S. Pribiag and Noa Marom},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.01623},
year = {2021}
}