MoS2/HfO2 界面的电子性质：原子层沉积生长过程中界面杂质的影响
材料科学
2014-02-10 v2
摘要
利用密度泛函理论 (DFT) 框架内的第一性原理计算，研究了 MoS2/HfO2 界面的原子结构和电子性质。为了模拟环境条件下的原子层沉积生长，考察了界面氧浓度对 MoS2/HfO2 界面电子结构的影响。随后，研究了其对能带偏移和这些界面热力学稳定性的影响，并与现有的相关实验数据进行了比较。这些结果表明，对于制备良好的界面，由于不存在界面缺陷态，其电子器件性能应优于 III-V/high-k 等其他界面。然而，如果在氧化物生长过程中存在任何未钝化的缺陷，将强烈影响界面随后的电子性质。
引用
@article{arxiv.1402.0457,
title = {Electronic Properties of MoS2/HfO2 Interface: Impact of Interfacial Impurities during Atomic Layer Deposition Growth},
author = {Santosh KC and Roberto C. Longo and Robert M. Wallace and Kyeongjae Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.0457},
year = {2014}
}
备注
This paper has been withdrawn due to highly confidential information