SnSe/EuS 与 SnTe/CaTe 界面的拓扑性质
材料科学
2020-04-01 v3
摘要
我们使用密度泛函理论计算研究了拓扑晶体绝缘体 SnSe 和 SnTe 分别与磁性绝缘体 EuS 和非磁性绝缘体 CaTe 的外延 (111) 界面的电子结构。我们考虑了带有真空区域的界面 slab 模型以及无真空的周期性异质结构。我们发现，由于打破时间反演对称性的磁邻近效应，在 SnSe/EuS 界面的拓扑态中在 点出现 21 meV 的能隙，在 M 点出现 9 meV 的能隙。由于界面处的能带弯曲， 处的表面态下移 88 meV 至费米能级以下，M 处的表面态上移 47 meV 至费米能级以上。相比之下，SnTe/CaTe 界面的拓扑态不受非磁性 CaTe 存在的影响。
引用
@article{arxiv.2002.11488,
title = {Topological Properties of SnSe/EuS and SnTe/CaTe Interfaces},
author = {Shuyang Yang and Chunzhi Wu and Noa Marom},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.11488},
year = {2020}
}