基于一维 Su-Schrieffer-Heeger 模型高阶带隙的拓扑纳米声子界面态
介观与纳米尺度物理
2023-05-31 v1
摘要
周期晶格中的拓扑界面态因其对抗无序的固有鲁棒性，已成为电子学、光子学和声子学领域的宝贵资源。与电子学和光子学不同，超声波的线性色散关系为研究高阶带隙提供了理想框架。在本工作中，我们提出了一种在 GaAs/AlAs 多层结构的高阶带隙中生成和调控拓扑纳米声子界面态的设计策略。这些态源于两个串联超晶格的带反转，这两个超晶格在带隙附近表现出反转的空间模态对称性。通过调整这些超晶格中晶胞的厚度比，我们能够在不同带隙中设计界面态，从而开发覆盖宽频率范围的多功能拓扑器件。此外，我们证明了此类界面态也可在混合结构中产生，该混合结构组合了两个带隙阶数不同但围绕同一频率中心的超晶格。这些结构为探索高阶带隙中的拓扑局域开辟了新途径，为揭示和更好理解复杂拓扑系统提供了独特平台。
引用
@article{arxiv.2305.18922,
title = {Topological Nanophononic Interface States Using High-Order Bandgaps in the One-Dimensional Su-Schrieffer-Heeger Model},
author = {Anne Rodriguez and Konstantinos Papatryfonos and Edson Rafael Cardozo de Oliveira and Norberto Daniel Lanzillotti-Kimura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.18922},
year = {2023}
}
备注
13 pages, 5 figures; supplementary information: 1 page, 1 figure