GaAs 光阴极中的光电子输运动力学
应用物理
2021-09-29 v1 材料科学
光学
摘要
我们在此报道一个描述 GaAs 半导体光阴极中光电子输运动力学的通用理论。模型通过引入定向载流子漂移纳入了梯度掺杂。有源层中电子浓度在激发脉冲注入后的时间演化被以数值与解析方式求解。该模型的预测通过载流子诱导的瞬态反射率变化与实验比较，后者利用飞秒泵浦-探测反射术对梯度掺杂与均匀掺杂光阴极进行测量。实验与理论间发现极佳吻合，从而表征了扩散常数与电子衰减率等关键器件参数。还对均匀掺杂与梯度掺杂在光电子输运特性方面进行了比较。发现掺杂梯度能够加速电子在器件表面的积累。这些结果为 III-V 族光阴极的动力学提供了新见解，并潜在开辟了器件参数实验表征的新途径。
引用
@article{arxiv.2109.02778,
title = {Photoelectron Transportation Dynamics in GaAs Photocathodes},
author = {Rui Zhou and Hemang Jani and Yijun Zhang and Yunsheng Qian and Lingze Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.02778},
year = {2021}
}