碳掺杂GaAs纳米线中的电输运：表面效应
材料科学
2015-06-15 v1
摘要
研究了不同掺杂浓度下碳掺杂GaAs纳米线的电阻率和迁移率。通过比较未钝化和钝化纳米线评估了表面效应。我们直接看到了表面的影响：费米能级钉扎以及随之存在的耗尽区导致在掺杂浓度低于3×10^18 cm^-3时迁移率增加至30 cm^2/(V·s)。电子束诱导电流测量表明，对于钝化纳米线，少数载流子扩散路径可高达190 nm。
引用
@article{arxiv.1304.5891,
title = {Electrical transport in C-doped GaAs nanowires: surface effects},
author = {Alberto Casadei and Jil Schwender and Eleonora Russo-Averchi and Daniel Rüffer and Martin Heiss and Esther Alarcó-Lladó and Fauzia Jabeen and Mohammad Ramezani and Kornelius Nielsch and Anna Fontcuberta I Morral},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.5891},
year = {2015}
}