高掺杂MBE生长银磷化物纳米线的电性质
介观与纳米尺度物理
2024-02-01 v2 材料科学
摘要
半导体纳米线的高效掺杂仍是纳米线基设备商业化的主要挑战之一。本文研究了以Be和Si分别掺杂的MBE生长p型和n型银磷化物纳米线的生长 regimes和电性质。通过原子力显微镜辅助的数值分析，对单个纳米线的电导率进行定量研究。基于导电率测量，我们提供了实现达到5E18和2E19 掺杂水平的生长策略，分别适用于GaP:Si和GaP:Be纳米线，这些掺杂水平足以满足技术应用的需求。
引用
@article{arxiv.2401.17215,
title = {Electrical properties of highly-doped MBE-grown gallium phosphide nanowires},
author = {Vladislav Sharov and Kristina Novikova and Alexey Mozharov and Vladimir Fedorov and Prokhor Alekseev and Ivan Mukhin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.17215},
year = {2024}
}