黑磷的高产率生长与掺杂及其电子性质可调
材料科学
2020-07-21 v1
摘要
黑磷(BP)因其独特的电子和光学性质近来引起了广泛关注。掺杂是调控材料电子结构的有效策略,然而高产率且直接可控地生长 BP 并对其进行掺杂仍是一大挑战。本文报道了一种高效短距离输运(SDT)生长方法,实现了高质量 BP 的可控生长,其产率迄今最高,其中 98% 的红磷转化为 BP。利用该 SDT 生长方法还实现了 BP 的 As、Sb、Bi、Se 和 Te 掺杂。光谱结果表明,掺杂系统地改变了其电子结构,包括带隙、功函数和能带位置。因此,我们发现掺杂 BP 样品(Sb 和 Te 掺杂 BP)相较于原始 BP 空气稳定性有所提升,这是由于掺杂后导带底下移所致。本工作开发了一种生长具有可调电子结构和改善稳定性的 BP 及掺杂 BP 的新方法,应可拓展此类材料在各领域的应用。
引用
@article{arxiv.2007.09381,
title = {High Yield Growth and Doping of Black Phosphorus with Tunable Electronic Properties},
author = {Mingqiang Liu and Simin Feng and Yi Hou and Shilong Zhao and Lei Tang and Jiaman Liu and Feng Wang and Bilu Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.09381},
year = {2020}
}
备注
22 pages, 5 figures