通过化学掺杂增强黑磷场效应晶体管性能
材料科学
2016-07-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本快报中，提出了一种对黑磷（BP）进行化学掺杂的新方法，其在初始 18 小时内显著增强了 BP 场效应晶体管的器件性能，之后退化至先前报道的水平。通过应用 2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹二甲烷（F4-TCNQ），在 1.5 {\mu}m 的适中沟道长度下实现了 3.2 ohm.mm 的低导通态电阻和 229 cm2/Vs 的高场效应迁移率，以及创纪录的 532 mA/mm 高漏极电流。
引用
@article{arxiv.1607.05760,
title = {Performance Enhancement of Black Phosphorus Field-Effect Transistors by Chemical Doping},
author = {Yuchen Du and Lingming Yang and Hong Zhou and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05760},
year = {2016}
}
备注
Published in IEEE Electron Device Letters, VOL. 37, NO. 4, APRIL 2016