VSe-VCu 复合物导致 Cu(In,Ga)Se2 光致亚稳态
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过第一性原理总能量计算，我们确定了导致 Cu(In,Ga)Se2 光致亚稳态和持续光致导电性的微观起源及物理机制。当存在光激发或电注入的导带电子时，Se 空位与 Cu 空位的复合物 (VSe-VCu) 被预测会从一个浅电子陷阱转化为一个深空穴陷阱，持续捕获两个电子。这一解释了实验观察到的：每释放两个空穴到价带上，就会生成一个空穴陷阱。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503411,
title = {Light-induced metastability in Cu(In,Ga)Se2 caused by VSe-VCu complexes},
author = {S. Lany and A. Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503411},
year = {2007}
}
备注
submitted to Appl. Phys. Lett