非晶硒中的两步光激发机制
材料科学
2014-02-26 v1
摘要
应用第一性原理模拟研究了非晶硒 (a-Se) 中的光致亚稳态以及价态改变对 (VAP) 缺陷在此过程中的贡献。确认 VAP 缺陷为平衡缺陷；它最小化了由孤对 (LP) 电子去取向引起的相邻 Se 链之间的去稳定化相互作用，从而缓解了系统张力。提出 LP 电子的激发由两个共存过程描述，即单电子激发和双电子激发。发现这两个过程都会在带隙中形成缺陷态并导致实验观测到的光致变暗和光致体积膨胀，然而只有双电子激发能够触发键重排和结构转变。跟随键重排发生的晶格弛豫具有 -0.90.3 eV 的特征能量，促进了能量上有利的 VAP 缺陷或晶体夹杂物的形成，从而最终刺激光致结晶。此外，还在具有增加晶体有序度的系统中直接模拟了光致结晶。
引用
@article{arxiv.1402.6164,
title = {The two-step photoexcitation mechanism in a-Se},
author = {J. Berashevich and A. Mishchenko and A. Reznik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6164},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 4 figures