4H-SiC中双空位的激发特性
材料科学
2018-11-14 v2
摘要
我们研究了4H-SiC中由最近邻硅空位和碳空位组成的双空位缺陷的光致发光（PL）猝灭现象。该猝灭仅当PL在低于特定光子能量（阈值）下被激发时发生，而4H-SiC中四种不同不等价双空位构型的阈值各不相同。对双空位电荷转移能级的精细理论第一性原理计算表明，每种双空位构型的（0/-）能级相对于导带的位置与相应的实验观测阈值之间具有非常好的一致性，使我们能将PL衰减归因于双空位因激发过程中从其他缺陷（陷阱）光电离的电子被俘获而从中性转换为负电荷态。电子顺磁共振测量在暗态和类似于PL实验所用激发条件下进行，并揭示了不同样品中陷阱的可能起源。基于这一概念建立的简单模型与实验观测的衰减曲线吻合良好。
引用
@article{arxiv.1804.01167,
title = {Excitation properties of the divacancy in 4H-SiC},
author = {Björn Magnusson and Nguyen Tien Son and András Csóré and Andreas Gällström and Takeshi Ohshima and Adam Gali and Ivan G. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.01167},
year = {2018}
}
备注
28 pages, 6 figures