3C-、4H-与6H-SiC中双空位的比较研究
量子物理
2025-06-25 v2 材料科学
摘要
SiC晶格中由两个相邻空位组成的双空位是量子技术应用中很有前景的缺陷。到目前为止，大多数研究都集中在4H-SiC中的双空位，而6H-SiC和3C-SiC中的双空位受到的关注要少得多。在此，我们概述了论证，表明后两种多型体中双空位的中性电荷态本质上是稳定的，这与4H-SiC形成对比——在4H-SiC中，对于某些激发能量（低于约1.3 eV），大多数材料中的光致发光会淬灭。6H-SiC和3C-SiC中的双空位预计即使在共振激发下也能保持稳定。我们提供了6H-SiC和3C-SiC中双空位电荷转移能级的新的从头算计算结果。利用3C-SiC中双空位发射的温度依赖性，我们估算了该多型体带隙内双空位的(+|0)电荷转移能级的位置，并与理论结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.2503.02757,
title = {Comparative study of divacancies in 3C-, 4H- and 6H-SiC},
author = {Danial Shafizade and Joel Davidsson and Takeshi Ohshima and Nguyen Tien Son and Ivan G. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.02757},
year = {2025}
}