碳化硅中单个双空位的斯塔克调谐与电荷态电控
量子物理
2018-01-17 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
碳化硅（SiC）中电中性双空位是顺磁性色心，其长相干时间与近电信波段工作波长使其成为兼容现有光纤网络的可扩展量子通信技术的有力候选。然而，局域应变不均匀性会随机扰动其光学跃迁频率，降低不同缺陷所发射光子的不可分辨性，并阻碍其与光学腔的耦合。在此我们展示，利用电场可通过直流斯塔克效应将 4H-SiC 中单个中性双空位缺陷的光学跃迁频率调谐数个 GHz 范围。同一技术还可在微秒时间尺度上控制缺陷的电荷态，我们借此将不稳定或非中性的双空位稳定至其中性电荷态。利用基于荧光的电荷态探测，我们展示 975 nm 与 1130 nm 激发均可近乎单位效率地制备其中性电荷态。
引用
@article{arxiv.1710.10705,
title = {Stark Tuning and Electrical Charge State Control of Single Divacancies in Silicon Carbide},
author = {Charles F. de las Casas and David J. Christle and Jawad Ul Hassan and Takeshi Ohshima and Nguyen T. Son and David D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10705},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 4 figures