立方碳化硅中硅空位的能量学与亚稳性
材料科学
2015-05-20 v2
摘要
硅空位是立方碳化硅（3C-SiC）中一种突出的本征缺陷，迄今为止实验和理论方面已投入了大量努力。我们使用不受带隙问题影响的GW近似计算了其性质。所获得的形成能和跃迁能与通常的密度泛函理论评估值有显著偏差，现在与实验吻合良好。随后提出了对光致发光主峰的新归属。我们进一步对反应路径的鞍点进行了GW计算。由此产生的势垒能量解释了对热退火实验，这得益于一种由少数电荷构型介导的原始机制。
引用
@article{arxiv.1101.0720,
title = {Energetics and metastability of the silicon vacancy in cubic SiC},
author = {Fabien Bruneval and Guido Roma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0720},
year = {2015}
}