3C-SiC的Σ3晶界中Cs的能量学
材料科学
2016-04-11 v1
摘要
利用密度泛函理论研究了3C-SiC的Σ3晶界处Cs缺陷的能量学，以理解晶界在Cs扩散及其最终从三结构各向同性燃料颗粒(TRISO)中释放的作用。结果表明，与SiC体相相比，Cs在Σ3晶界处稳定得多，其在晶界处的形成能比体相显著降低(7-17eV)。研究发现，在Σ3晶界处Cs的形成能甚至低于Ag的形成能，而此前类似的密度泛函理论计算表明在SiC体相中这一趋势相反。基于这些结果，提出了一种通过晶界工程控制SiC层中Cs释放的可能途径。
引用
@article{arxiv.1604.02438,
title = {Energetics of Cs in Sigma3 grain boundary of 3C-SiC},
author = {Raghani Pushpa and Balaji Ramanujam and Tram Bui and Megan Frary},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.02438},
year = {2016}
}