碳化硅阈值位移能的第一性原理分子动力学计算
材料科学
2007-09-12 v1
摘要
利用第一性原理分子动力学模拟，我们确定了立方碳化硅中的阈值位移能及相关产生的缺陷。与以往使用经典分子动力学的研究相反，我们发现所得数值接近实验共识，且产生的缺陷与近期关于碳化硅中间隙原子稳定性的研究结果高度一致。我们仔细考察了该方法的局限性。我们的工作表明，可以在碳化硅中以第一性原理精度计算位移能，并暗示这一结论可能也适用于其他共价材料。
引用
@article{arxiv.0709.1605,
title = {Ab initio molecular dynamics calculations of threshold displacement energies in silicon carbide},
author = {Guillaume Lucas and Laurent Pizzagalli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1605},
year = {2007}
}