Si(100)表面D_2解吸的从头算分子动力学研究
mtrl-th
2009-10-30 v2 材料科学
摘要
为监测解吸过程中各种D与硅自由度之间的能量再分配，进行了硅(100)表面氘解吸的从头算分子动力学计算。计算表明，解吸过渡态处的相当一部分势能转移给了硅晶格。氘分子离开表面时振动热而转动冷，与热解吸实验一致；然而其平均动能大于激光诱导解吸实验中所观测到的值。我们讨论了造成此差异的可能原因。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9609005,
title = {Ab initio molecular dynamics study of the desorption of D_2 from Si(100)},
author = {Axel Gross and Michel Bockstedte and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9609005},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures, subm. to Phys. Rev. Lett