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D_2 从 Si(100) 脱附的从头算分子动力学研究

mtrl-th 2008-02-03 v1 材料科学

作者: Axel Gross , Michel Bockstedte , Matthias Scheffler

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摘要

为了监测脱附过程中氢和硅自由度之间的能量重分布，进行了氘从 Si(100) 脱附的从头算分子动力学计算。计算表明，脱附过渡态处的一部分势能转移到了硅晶格中。氘分子以振动热、转动冷的状态离开表面，与实验一致；然而平均动能大于实验中所发现的。

关键词

从头算分子动力学氘脱附 Si(100) 能量重分布振动激发转动冷却

引用

@article{arxiv.mtrl-th/9607011,
  title  = {Ab initio Molecular Dynamics Study of D_2 Desorption from Si(100)},
  author = {Axel Gross and Michel Bockstedte and Matthias Scheffler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9607011},
  year   = {2008}
}

备注

4 pages, 1 figure, to appear in "The Physics of Semiconductors"