铌的阈值位移能量与初级损伤状态的分子动力学模拟
材料科学
2017-02-24 v2
摘要
本工作中，基于EAM（嵌入原子法）开发了用于辐射损伤模拟的Nb多体势，该势能恰当预测Nb的大部分点缺陷。利用所构建的势，通过分子动力学模拟进行了Nb的方向相关阈值位移能量（TDE）以及高达20 keV的位移级联模拟。TDE的计算结果与先前针对V、Mo的工作以及实验测量吻合良好。在<100>方向发现了最低TDE，并在三个低指数方向发现了TDE的局部极小值，其关系为：Ed[100]<Ed[111]<Ed[110]。系统研究了位移级联的演化、产生的点缺陷数量、级联效率、点缺陷团簇化，以及这些参数在不同PKA能量下的温度作用。发现级联效率较低，并且可像许多已发表工作那样用幂函数拟合。本工作中获得的团簇点缺陷比例较低，并且在热尖峰结束时仅形成一些小的团簇。随着温度升高，点缺陷的产生和级联效率有所降低，但团簇点缺陷比例的降低更为明显。
引用
@article{arxiv.1702.03598,
title = {Molecular dynamics simulation of threshold displacement energy and primary damage state in Niobium},
author = {De-Ye Lin and Haifeng Song and Xi Dong Hui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.03598},
year = {2017}
}