碳化钛中缺陷稳定性与迁移率的第一性原理研究
材料科学
2013-03-13 v1
摘要
我们利用密度泛函计算研究了TiC中替代过渡金属(TM)杂质、C空位和C间隙缺陷的形成能。此外，我们还评估了TM杂质存在下C原子的迁移能垒。我们发现，来自3d TM系列的TM杂质的溶解度很低，只有Sc和V杂质能在平衡条件下溶解到TiC中。此外，我们发现TiC中C的迁移能垒受TM杂质存在的显著影响：与纯TiC相比，杂质存在下的迁移能垒通常更低，并且显示出对TM杂质原子尺寸的明显依赖性。我们提出，在3d TM系列中部的TM杂质存在下，TiC中C的迁移率将最高。
引用
@article{arxiv.1303.2848,
title = {A first principles study of the stability and mobility of defects in titanium carbide},
author = {Mikael Råsander and Biplab Sanyal and Ulf Jansson and Olle Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2848},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 5 figures