Ab initio study of the migration of intrinsic defects in 3C-SiC
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们采用基于密度泛函理论的Ab initio方法研究了3C-SiC中内在缺陷的扩散。结果表明，空位能够在其自身晶格上自行迁移。碳分裂空位以及两种相关硅空位（即四面体碳配位空位和<110>方向分裂空位）的迁移性远高于空位。硅空位的 metastable 状态会在p型和掺杂材料中转化为空位-反位错配体，从而在动力学上抑制其在扩散过程中的作用。本文分析了空位和空位在自扩散中的作用，并定性地讨论了对掺杂扩散的影响。我们的分析强调了基于硅和碳空位机制的重要性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309704,
title = {Ab initio study of the migration of intrinsic defects in 3C-SiC},
author = {Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg Pankratov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309704},
year = {2009}
}