立方 SiC 中 B 替换引发的异常强声子散射

我们使用从头算计算预测了具有不同类型缺陷的立方 SiC 的热导率。发现其与先前的实验测量结果具有极好的定量一致性。结果揭示，在 3C-SiC 中，B$_\mathrm{C}$ 替换比任何其他缺陷类型（包括空位）的影响都要大得多。这一发现与经典杂质散射质量差分模型的预测相矛盾，根据该模型，B$_\mathrm{C}$ 和 N$_\mathrm{C}$ 的影响将是相似的，且远小于 C 空位的影响。B$_\mathrm{C}$ 缺陷截然不同的行为源于由 B 杂质周围结构对称性破坏所引起的独特的共振声子散射模式。